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鉛フリーパッケージの対応

鉛フリーに使用されている材質セット

Spansionの鉛フリー材質セットには、以下のような特徴があります。:

  • Cu(銅)リードフレームパッケージ - 100%のつや消しすずメッキ。
  • BGAパッケージ - SAC 305 (すず96.5wt%、銀3.0%、銅0.5%) から構成されるはんだボール
  • SpansionのリードフレームパッケージおよびBGAパッケージの種類一覧を準拠の下に掲載します。
  • 銅リードフレーム製品では、以下の鉛フリーメッキ仕上げを使用しています。
組成: 銅につや消しすずメッキ
下層: なし
メッキ厚さ: 10 ~ 12 um (規格)
粒子サイズ: 5 um (最小)
炭素含有量: < 500 ppm
メッキ後アニール: 150 ℃で 1 時間

つや消しすずメッキのウィスカ成長がご心配ですか?

銅リードフレームのSpansion鉛フリーメモリ製品には、以下の理由から、つや消しすずメッキが選ばれています。

  • つや消しすずは、従来のSnPbや鉛フリーの基板組み立てプロセスと互換性があります。
  • つや消しすずの融点は、それ以外の鉛フリーの代替物よりも高いため、車載アプリケーションや高温のアプリケーションに適しています。

これまで、Spansionのメモリ製品に化学適合したつや消しすずメッキでは、ウィスカ成長が確認されていません。 詳細については100%すずのウィスカ成長に関する研究を参照して下さい。

すずウィスカに関するSpansionの最新の研究は、 2004年8月に開催された、第6回IPC/JEDEC鉛フリー電子部品・組み立て国際会議で発表された、「半導体デバイスのつや消しすず(Sn)メッキ - ウィスカ成長に関する研究」(Anocha Sriyarunya、Dhiraj Bansalによる)です。

実装プロセスおよびリフロープロファイルの影響

鉛フリーのパッケージを使用する場合、はんだ接合部の品質と信頼性を最大限にするには、必要に応じて、はんだペースト、フラックスの種類、リフロープロファイルなどの実装プロセスの一部を変更する必要があります。 特定のアプリケーションに基づくプロセス/プロファイルについては、ご使用のペースト/フラックスメーカにご確認下さい。

鉛フリーメモリパッケージの最高リフロー温度

Spansionの鉛フリーメモリ製品はすべて、リフロー温度が最低でも 250 ℃ +0/-5(ピーク 250 ℃) で、JEDEC レベル3およびJEITA ランク「E」に適合しています。

さらに、シングル・チップ製品および当社の多くのマルチ・チップ製品が、JEDEC レベル3およびJEITA ランク「E」の、リフロー温度 260 ℃ +0/-5(ピーク 260 ℃) 3回 に耐えることができます。

パッケージの吸湿レベルやリフロープロファイルを決定するために使用するリフロー条件については、 ここをクリックしてご覧ください。 このプロファイルは、パッケージの内部品質確認に用い、当社のパッケージで耐久性を保証する回数および温度を示しています。 これは、当社の部品の基板実装に対する推奨プロファイルではありません。 お客様の基板設計、はんだペーストやフラックスの選択に伴い、その基板実装のリフロープロファイルを最適化してご使用下さい。

標準および鉛フリーリフロープロセス間の上位互換性と下位互換性

下位互換性とは、Spansionの鉛フリー製品が、旧型(SnPb)のはんだリフロープロセスを使用して製造できることを表しています。 上位互換性とは、標準(SnPb)製品が、新型の鉛フリーのはんだリフロープロセスを使用して製造できることを表しています。

これらの定義を、以下の表に示します。

最終仕上げおよびペースト SnPn 鉛フリー
鉛ベース 従来のSnPbベースプロセス 上位互換性
鉛フリー 下位互換性 鉛フリープロセス

一般に、Spansionの鉛フリー部品は下位互換です。 つまり、鉛ベースプロセスの中の、従来の鉛ベース製品との交換部品として利用できます。 ただし、場合によっては、はんだ接合部の品質を高めるために、ピーク時のリフロー温度で微調整することがあります。 但し、BGA製品の鉛フリー部品+有鉛ペーストの組み合わせは二次実装性(特に耐落下試験性)が低下する場合があるため推奨致しかねます。

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