Japan - SpansionとTSMC、共同開発契約を締結

-- 2007年05月16日 --

40nm世代以降でMirrorBit®テクノロジの適用を拡大

世界最大のフラッシュメモリ・ソリューション専業プロバイダであるSpansion Inc.（NASDAQ:SPSN、本社：米国カリフォルニア州、代表取締役社長兼CEOバートランド・カンブー）とTaiwan Semiconductor Manufacturing Company（以下、TSMC）（TSE:2330,NYSE:TSM）は本日、40nm世代以降のプロセスで各種MirrorBit®テクノロジの共同開発を開始する契約を締結したと発表しました。本契約の下、Spansionは今後、共同開発による各種MirrorBitテクノロジを活用し、新たな分野にこのテクノロジの適用を拡大していきます。一方、TSMCは40nm世代以降のプロセスで量産実績を作るとともに、Spansionの先進的なフラッシュメモリ技術を量産する計画です。契約の具体的条件については非公開となっています。

Spansionの社長兼CEO、バートランド・カンブー（Bertrand Cambou）は次のように述べています。「ロジックを基盤としたプラットフォーム技術であるMirrorBitによって、大規模なインテグレーションを実現できます。TSMCはプロセス・テクノロジの開発について卓越した専門知識を持つため、両社が協力してMirrorBitテクノロジを新たな分野で活用していくことを期待しています」

SpansionとTSMCは、110nmと90nmのMirrorBit®テクノロジに関して既に契約しています。TSMCでは2006年第2四半期より110nmでSpansionフラッシュメモリ用ウェーハを生産しています。300mmウェーハによる90nm MirrorBit®テクノロジの量産立ち上げは、2007年半ばを予定しています。

TSMCの社長兼CEO、リック・ツァイ(Rick Tsai)氏は、次のように述べています。「テクノロジと設計ノウハウによって、Spansionはフラッシュメモリのリーダー企業としての地位を確立しています。Spansionとの提携によって、当社のテクノロジ・ポートフォリオは広がり、急成長中のフラッシュメモリ事業への参入を拡大させます。当社の巨大な300mmウェーハ製造技術と、両社の協業により、フラッシュ技術の開発と製造に関し、新たなマイルストーンを達成することになります」

MirrorBitテクノロジについて

SpansionのMirrorBitテクノロジは、プログラム・コードおよびデータ保存用の高付加価値ソリューションをインテグレート電子機器市場のお客様にお届けしています。フローティングゲートNORテクノロジと比べ、MirrorBitテクノロジはメモリセルを簡素化することができ、製造に必要なクリティカルな製造工程を少なくすることができます。従来のフローティングゲートと比較した場合、MirrorBitテクノロジでは歩留が向上でき、大容量化へのスケーリングが容易になります。Spansionでは、インテグレート電子機器市場向けデータ保存の次なるステップとして、世界初の4ビット/セル・フラッシュメモリ、MirrorBit Quadテクノロジの出荷を開始したばかりです。さらに、インテグレート・フラッシュメモリ製品の機能を拡充させるためにさまざまな異なったインタフェースと機能を整備する計画を掲げています。

Spansionについて

Spansion（NASDAQ:SPSN）は携帯電話、車載、通信および民生機器市場におけるデジタル・コンテンツの利用拡大、記録およびセキュリティに特化し、独自の付加価値を提供するフラッシュメモリ・ソリューション・プロバイダです。以前、AMDと富士通株式会社のフラッシュメモリ・ベンチャー企業であったSpansionは、フラッシュメモリ製品の開発、設計および製造に特化した世界最大級の企業です。Spansionフラッシュメモリ・ソリューションに関する情報は、SpansionのWebサイトhttp://www.spansion.com/jpでご覧いただけます。

TSMCについて

TSMCは世界最大の専業ファンドリーメーカーで、業界をリードするプロセス技術、及びファンドリー業界で最大のポートフォリオであるシリコン実証済みライブラリ、IP、デザインツール、リファレンス・フローなどのサービスを提供しています。TSMCは、先進12インチギガファブ2拠点、8インチファブ4拠点、6インチファブ１拠点を運営しており、2006年のTSMCのウェーハの総生産量は、700万枚（8インチ換算）超です。また、子会社であるWaferTechとTSMC(上海)と、ジョイントベンチャーファブ（SSMC）でも生産を行っております。TSMCは、65nmの製造能力を提供する最初のファンドリーメーカーです。本社を台湾の新竹に設置しています。詳細につきましては、http://www.tsmc.com/をご参照ください。

セーフ・ハーバー（事情変更による免責）の告知

今後の見通しを述べた本リリース中の記載事項は、新しい分野でのMirrorBitテクノロジの適用を拡大する計画、Spansionの先進的なフラッシュメモリ技術を対象とするTSMCの量産計画、TSMCでの300mmウェーハによる90nm MirrorBitテクノロジ生産開始に関する目標時期を含み、1995年私募証券訴訟改革法（Private Securities Litigation Reform Act of 1995）の中のセーフ・ハーバー条項に準拠するものです。今後の見通しを述べた記述には数々のリスクおよび不確実性を伴っており、実際の結果は現時点での見通しとは大幅に異なったものになる可能性があることを、投資家の皆様にご注意申し上げます。これらのリスクおよび不確実性には、当社フラッシュメモリ製品への需要が現時点で期待される量より少なくなるリスク、当社が主要な知的財産関連の取り決めに対する権利を失い、知的財産権への抵触に関する訴えの対象となるリスク、フラッシュメモリ市場は非常に周期的であるため、厳しい低迷を被るリスク、販売平均単価が下落するリスク、当社が経費を削減できないリスク、OEMメーカがそのアプリケーションにおいてNOR型やMirrorBit ORNANDのフラッシュメモリよりNAND型ベースのフラッシュメモリを選択する機会が増えるリスク、当社のFlashメモリ製品が競争力を失う、または陳腐化するような新しいメモリ技術を競合他社が導入するリスク、当社が開発できない、またはお客様のMirrorBit NOR、MirrorBit ORNAND、MirrorBit Quadアーキテクチャをベースとしたフラッシュメモリ製品への支持を損なうリスク、当社が重要なお客様を失うリスク、当社が相当額に上る負債により悪影響を被るリスク、最先端の供給能力確立に十分な額の資金を調達できず生産需要への対応と市場シェアの維持が困難となるリスク、当社が現在の製造および生産能力導入スケジュールを達成できないリスク、当社が新製品、テクノロジ製品開発サイクルの加速に関する開発、導入または商品化スケジュールを達成できないリスク、当社がお客様からの需要に応えられないリスク、当社が製造効率を維持できないリスク、当社の製造委託パートナーからの損害を被るリスク、市場全体の過剰生産により価格あるいは製造能力に被害を受けるリスク、当社の海外での活動が経済的そして地政学的影響を受けるリスクが含まれます。投資家の皆様方には、こうしたリスクと不確実性について詳細に検討いただくことを強くお勧めします。リスクと不確実性は、SpansionがSEC(米国証券取引委員会)に登録している報告書に記載されています。なお、ここでいう報告書には2006年12月31日付けの年次報告書（フォーム10-K）および2007年4月1日付けの四半期報告書（フォーム10-Q）を含みますが、それに限定されません。当社は本プレスリリースに記載された今後の見通しまたは情報を更新するといういかなる義務も負いません。

商標：

Spansion®、Spansionロゴ®、MirrorBit®、MirrorBit® Eclipse™、ORNAND™、HD-SIM™及びそれら全ての組み合わせはSpansion LLCの商標です。Spansion、SpansionロゴおよびMirrorBitは、アメリカ合衆国およびその他の国で登録されています。その他名称 は、情報提供のみを目的とするものですが、各所有者の商標または登録商標に該当する可能性があります。

【報道関係お問い合わせ先】
Spansion Japan 株式会社
コーポレート・コミュニケーション部
担当：若松 浩一
電話：044-223-1796
e-mail：info.japan@Spansion.com

フォーカスト・コミュニケーションズ株式会社
担当：水本／金成
電話：03-5157-0033