Spansion、製造の効率化によりファウンドリ・サービスへの依存を低減　製造能力とテスト能力の強化により、稼動率と資本効率を向上

-- 2008年03月19日 -- (米国発表日)
-- 2008年03月21日 -- (日本発表日)
2008年3月19日に米国で発表されたプレスリリースの抄訳版です。

Spansion Inc.（NASDAQ:SPSN、本社:米国カリフォルニア州、社長兼CEOバートランド・カンブー）は本日、製造の効率化に重点的に取り組み、2007年度下半期に比べ2008年度上半期に四半期あたり約5千万ドル分、ファウンドリと請負先への依存削減につながると発表しました。

製造の効率化によってテキサス州オースティンのFab25と会津若松のSP1の生産が増加し、特に90nm製品でファウンドリへの依存度が低下すると期待されます。さらに、新しいテスト機能により、特に最先端のMirrorBit®技術フラッシュメモリ製品をはじめとする65nm製品で、スループットと歩留まりの両方を大幅に向上しています。

Spansionの社長兼CEO、バートランド・カンブー（Bertrand Cambou）は、次のように述べています。「昨年Spansionは、コストの大幅な節約という最終目標に向け、ファウンドリへの依存度を下げ、製造およびテスト機能の効率化に注力してきました。世界各地の製造およびエンジニアリング・チームの卓越した功績によって、目標を達成できました。引き続き、この非常に激しい競争分野をリードし続けることをお約束します」

Spansionは、自社製造に注力するだけではなく、ウェーハ・ソートではChipMOS、ウェーハ・ファウンドリではSMICなど選ばれたパートナーと長期的な提携戦略も続けていく予定です。SMICとの契約では、2008年度末までに300mmウェーハによる65nmプロセスでの製造を予定しています。

製造の効率化

テキサス州オースティンにあるSpansionのFab25では、同社の予測を上回る90nm製品の歩留まりと生産量を達成しています。一方、日本のSP1では300mmウェーハの処理能力を向上し、65nm MirrorBit技術フラッシュメモリ製品で1週間あたり2,000枚のウェーハ製造を達成しています。この2つの製造施設の成功が組み合わさり、ファウンドリへの依存度を下げることができました。

SP1は、日本の会津若松にあるSpansionのJV3製造ラインと同じ建屋内にあり、Spansionの独立以降同社によって初めて建設された製造施設です。SP1の計画には、さらにコスト効率を高めることが期待される2009年度の45nmプロセスへの積極的な移行計画も含まれています。

テスト効率

Spansionは、65nmプロセス製造ラインと統合するために設計された、ウェーハ・レベルのテストとビルトイン・セルフ・テスト（BIST）向けの新しい機能を開発しています。これらの機能の実装により、スループットの向上、歩留まりの増加、およびコスト削減が期待できます。これらの最先端のテスト機能を既存の製造施設に統合し、外部テスト・ベンダへの依存度を下げ、コストを削減しました。

ウェーハ・レベルのテストは、ダイがウェーハ形状の状態で電気テストを実行してテスト・プロセス全体を効率化し、設計や製造プロセス工程での問題特定にかかる時間を短縮します。テスト関連のコストを削減するために特に設計されたBISTは、テスト・サイクル時間を短縮し、テストのセットアップの複雑さを軽減するので、自動テスト装置（ATE）の必要性を大幅に低減させます。これらの高度なテスト技術は、より高速で正確な測定を行えるためROI（投資収益率）を高めます。

Spansionについて

Spansion（NASDAQ:SPSN）は携帯電話、車載、通信および民生機器市場におけるデジタル・コンテンツの利用拡大、記録およびセキュリティに特化し、独自の付加価値を提供するフラッシュメモリ・ソリューション・プロバイダです。以前、AMDと富士通株式会社のフラッシュメモリ・ベンチャー企業であったSpansionは、フラッシュメモリ製品の開発、設計、製造、マーケティング、販売に特化した世界最大の専業企業です。Spansion フラッシュメモリ・ソリューションに関する情報は、SpansionのWebサイトhttp://www.spansion.com/jpでご覧いただけます。

商標：

Spansion®、Spansionロゴ®、MirrorBit® ORNAND™、ORNAND2™、HD-SIM™及びそれら全ての組み合わせは、アメリカ合衆国およびその他の国で登録されているSpansion LLCの商標です。その他名称は、情報提供のみを目的とするものですが、各所有者の商標または登録商標に該当する可能性があります。

注意事項：

今後の見通しを述べた本リリース中の記載事項は、ファウンドリへの依存度を下げたことにより2008年度上半期に2007年度下半期に比べ四半期あたり約5千万ドル分コストを削減する予測、新たなテスト機能によりもたらされる、(i)スループットと歩留まりの大幅な向上、（ii）外部テスト・ベンダへの依存度と自動テスト装置（ATE）の必要性の低減、（iii）より高速で正確な測定結果の実現、そして（iv）SMIC社において2008年度末にまでに予定している、300mmウェーハによる65nmプロセスでの製造予定、SP1での2009年度の45nmプロセスへの移行計画およびその他の費用効果による投資収益率（ROI）の増加予測を含み、1995年私募証券訴訟改革法（Private Securities Litigation Reform Act of 1995）の免責事項に準拠するものです。今後の見通しを述べた記述には数々のリスクおよび不確実性を伴っており、実際の結果は現時点での見通しとは大幅に異なったものになる可能性があることを、投資家の皆様にご注意申し上げます。本リリースの今後の見通しを述べた記述に重大な影響を与える可能性のある要因の中には、当社フラッシュメモリ製品への需要が現時点で期待される量より少なくなるリスク、販売平均単価が下落するリスク、当社が主要な知的財産関連の取り決めに対する権利を失い、知的財産権への抵触に関する訴えの対象となるリスク、フラッシュメモリ市場は非常に周期的であるため、厳しい低迷を被るリスク、当社が経費を効果的に削減できないリスク、Saifun社の合併が統合や他の試みの結果として、Spansionが予期していた利益をもたらさないリスク、イスラエルの政治、経済、そして軍事の状況がSaifunとSpansionのビジネスに悪影響与えるリスク、Saifun社を買収した結果、Saifun社のライセンシーやSpansionのお客様に損失をもたらすリスク、SpansionがSaifun社のNROM技術の価値を活かせないリスク、OEMメーカがそのアプリケーションにおいてMirrorBitアーキテクチャ・ベースのフラッシュメモリよりNAND型ベースのフラッシュメモリを選択する機会が増えるリスク、当社は相当額に上る負債があり、その負債が当社に制限約款を課すリスク、不十分なキャッシュフローや資金調達などの結果、当社が現在の設備および生産能力導入スケジュールを達成できないリスク、当社が重要なお客様を失う、または重要なお客様からの需要が減るリスク、当社が新製品、テクノロジを開発、導入または商品化できないまたは製品開発サイクルの加速を達成できないリスク、当社のFlashメモリ製品が競争力を失う、または陳腐化するような新しいメモリ技術を競合他社が導入するリスク、当社が製造上の制約を受ける、あるいは製造の効率化を達成できないリスク、お客様が予約を変更することにより、過剰在庫につながるリスク、当社の研究開発投資が技術改良にタイムリーに反映されないリスク、知的所有権へのクレームや訴訟により、当社がかなりの費用を被る、実質損害を支払う、もしくは製品が販売禁止になるリスクが含まれます。投資家の皆様方には、こうしたリスクと不確実性について詳細に検討いただくことを強くお勧めします。リスクと不確実性は、SpansionがSEC(米国証券取引委員会)に登録している報告書に記載されています。なお、ここでいう報告書には2007年12月30日付けの年間報告書（フォーム10-K）を含みますが、それに限定されません。当社は本プレスリリースに記載された今後の見通しまたは情報を更新するといういかなる義務も負いません。

【報道関係お問い合わせ先】
Spansion Japan 株式会社
コーポレート・コミュニケーション部
担当：若松　浩一
電話：044-223-1796
e-mail：info.japan@Spansion.com

フォーカスト・コミュニケーションズ株式会社
担当：水本／金成
電話：03-5157-0033