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MirrorBit ORNAND™ Architecture |
MirrorBit®テクノロジ – フラッシュメモリの未来が今ここに
MirrorBitテクノロジにより、システムの設計者は、Spansion独自のチャージトラッピング(電荷捕獲)ストレージ技術を使用して、革新的で高性能かつコスト効率のよいソリューションを開発できるようになります。 MirrorBitテクノロジの概要:
MirrorBitテクノロジの原理
MirrorBitセルでは、メモリセルの両側に物理的に異なる2つの電荷をそれぞれ記憶させることができるため、フラッシュメモリアレイの本来の容量が2倍になります。記憶媒体の非導電性を利用することにより、このような画期的な技術が実現しました。2ビットセルの各ビットは、バイナリ単位のデータ(つまり、0または1)として、メモリアレイに直接マップされます。 メモリセルの片方に記憶されているビットのリードまたはライトは、セルの反対側に記憶されているデータに影響を及ぼすことなく実行されます。対称型のメモリセルや非導電性の記憶エレメントにより、MirrorBitテクノロジはシンプルで、効率的なメモリアレイを活用するように開発されました。このアレイ設計により、デバイスのトポグラフィと製造工程を大幅に簡素化することができます。つまり、MirrorBitテクノロジは、重要な製造工程をフローティングゲートNORテクノロジよりも40パーセント削減することが可能な、業界でもっとも価格性能比の良いフラッシュメモリテクノロジなのです。 |
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